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供应REN*AS原装*MOS管 2SK1317
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:2SK1317 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:REN*AS/瑞萨 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型
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北京现货供应LS原装IGBT模块 LUH100G1201Z
型号/规格:LUH100G1201Z 封装外形:SP/*外形 品牌/商标:LS/产电 用途:A/宽频带放大 材料:ALGaAS铝镓砷 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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供应韩国LS原装*IGBT模块 LVH150G1201Z
型号/规格:LVH150G1201Z 封装外形:SP/*外形 品牌/商标:LS/产电 用途:A/宽频带放大 材料:ALGaAS铝镓砷 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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供应REN*AS原装*MOS管 2SK2225
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:2SK2225 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:REN*AS/瑞萨 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型
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北京现货*清空EUPEC原装IGBT模块BSM300GA120DN2
封装外形:SP/*外形 型号/规格:BSM300GA120DN2 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:EUPEC 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型
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北京供应原装*英飞凌IGBT单管 IGW60T120
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:IGW60T120 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型