北京中天亚旭电子有限公司

北京现货供应原装*IXYS二*管 DSEI30-06A

工作温度范围:详询（℃） 型号/规格:DSEI30-06A 功耗:详询 产品类型:快恢复二*管 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 材料:硅(Si) 是否*:是 针脚数:详询 封装:详询

北京现货供应ON原装三*管BC327-25RL1G

封装形式:TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 型号/规格:BC327-25RL1G 材料:硅(Si) 品牌/商标:0N/安森美 应用范围:放大

北京现货供应ST原装可控硅TYN612MRG

功率特性:*率 关断速度:普通 *数:二* 额定正向平均电流:详询（A） 散热功能:不带散热片 频率特性:低频 型号/规格:TYN612MRG 封装外形:TO-220-3 反向重复峰值电压:600（V） 品牌/商标:ST/意法 控制*触发电流:12（mA） 稳定工作电流:8A（A） 控制方式:单向 封装材料:金属封装

北京现货供应新电元原装整流桥 D25XB80

功率特性:大功率 正向峰值电压:1000（V） 直流输出电流:25（A） 直流输出电压:800（V） 交流输入电压:220（V） 整流元件:二*管(排) **:否 工作结温:150（℃） 频率特性:*频 效率:100（%） 应用范围:电源 *缘电压:1000（V） 型号/规格:D25XB80 反向重复峰值电压:1000（V） 反向重复峰值电流:25（mA） 品牌/商标:SHINDENGEN/新电元

供应REN*AS原装*MOS管 2SK1317

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:2SK1317 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:REN*AS/瑞萨 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

北京供应艾赛斯原装*快恢复二*管 DSEI60-06A

工作温度范围:详询（℃） 型号/规格:DSEI60-06A 功耗:详询 产品类型:快恢复二*管 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 是否*:是 针脚数:详询 封装:详询

北京现货供应原装*安森美ON二*管 BAS21LT1G

电压,Vz:详询 工作温度范围:详询（℃） 功耗:详询 型号/规格:BAS21LT1G 品牌/商标:0N/安森美 产品类型:齐纳管 针脚数:详询 是否*:是 封装:详询

北京供应ON原装现货肖特基二*管 31DQ06

工作温度范围:详询（℃） 功耗:详询 材料:硅(Si) 是否*:是 针脚数:详询 电压,Vz:详询 型号/规格:31DQ06 产品类型:肖特基管 品牌/商标:0N/安森美 封装:详询

*整流桥D25XB80

功率特性:大功率 正向峰值电压:1000（V） 直流输出电流:25（A） 直流输出电压:800（V） 交流输入电压:220（V） 整流元件:二*管(排) **:否 工作结温:150（℃） 频率特性:*频 效率:100（%） 应用范围:电源 *缘电压:1000（V） 型号/规格:D25XB80 反向重复峰值电压:1000（V） 反向重复峰值电流:25（mA） 品牌/商标:SHINDENGEN/新电元

北京现货供应新电元原装*整流桥 D25XB80

功率特性:大功率 正向峰值电压:1000（V） 直流输出电流:25（A） 直流输出电压:800（V） 交流输入电压:220（V） 整流元件:二*管(排) **:否 工作结温:150（℃） 频率特性:*频 效率:100（%） 应用范围:电源 *缘电压:1000（V） 型号/规格:D25XB80 反向重复峰值电压:1000（V） 反向重复峰值电流:25（mA） 品牌/商标:SHINDENGEN/新电元

北京现货供应ON原装快恢复二*管 MUR420

工作温度范围:详询（℃） 功耗:详询 型号/规格:MUR420G 材料:硅(Si) 品牌/商标:0N/安森美 产品类型:快恢复二*管 针脚数:详询 是否*:是 封装:DO-201AD

北京现货供应原装*ON安森美二*管 M*T2907ALT1G

工作温度范围:详询（℃） 功耗:详询 材料:硅(Si) 是否*:是 针脚数:详询 电压,Vz:详询 型号/规格:M*T2907ALT1G 产品类型:齐纳管 品牌/商标:ON/安森美 封装:详询

北京现货供应LS原装IGBT模块 LUH100G1201Z

型号/规格:LUH100G1201Z 封装外形:SP/*外形 品牌/商标:LS/产电 用途:A/宽频带放大 材料:ALGaAS铝镓砷 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

北京供应原装*肖特基二*管 *R1100RLG

工作温度范围:详询（℃） 功耗:详询 材料:硅(Si) 是否*:是 针脚数:详询 电压,Vz:详询 型号/规格:*R1100RLG 产品类型:肖特基管 品牌/商标:0N/安森美 封装:DO-41

北京现货供应原装*IXYS快恢复二*管 DSEI30-12A

工作温度范围:详询（℃） 功耗:详询 型号/规格:DSEI30-12A 材料:硅(Si) 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 产品类型:快恢复二*管 针脚数:详询 是否*:是 封装:TO-247

北京现货供应原装**童二*管 RHRP8120

工作温度范围:-65 to +175（℃） 型号/规格:RHRP8120 功耗:详询 产品类型:快恢复二*管 品牌/商标:FAIRCHILD/*童 材料:硅(Si) 是否*:是 针脚数:详询 封装:TO-220

供应韩国LS原装*IGBT模块 LVH150G1201Z

型号/规格:LVH150G1201Z 封装外形:SP/*外形 品牌/商标:LS/产电 用途:A/宽频带放大 材料:ALGaAS铝镓砷 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

供应REN*AS原装*MOS管 2SK2225

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:2SK2225 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:REN*AS/瑞萨 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

北京现货*清空EUPEC原装IGBT模块BSM300GA120DN2

封装外形:SP/*外形 型号/规格:BSM300GA120DN2 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:EUPEC 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

北京供应原装*英飞凌IGBT单管 IGW60T120

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:IGW60T120 材料:N-FET硅N沟道 用途:A/宽频带放大 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型