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北京供应原装*英飞凌IGBT单管 IGW60T120
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
型号/规格：
IGW60T120
材料：
N-FET硅N沟道
用途：
A/宽频带放大
品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型
产品信息
一、IGBT单管 IGW60T120主要技术参数
• Best in cl* TO247
• Short circuit withstand time – 10μs
• Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
• Trench and Fields* technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Low Gate Charge
二、IGBT单管 IGW60T120实物拍摄
IGBT单管 IGW60T120
IGBT单管 IGW60T120
IGBT单管 IGW60T120
IGBT单管 IGW60T120
*说明：尊敬的客户，本公司发布的产品价格为参考价格。如需获取具体产品信息请咨询旺旺在线客服，或拨打。公司全体员工*恭候您来电来函咨询。
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